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256kDRAM的可靠性
引用本文:山田长生 ,吉冈秀敏 ,王秀春.256kDRAM的可靠性[J].微电子学,1985(Z1).
作者姓名:山田长生  吉冈秀敏  王秀春
摘    要:MOS动态RAM的集成密度、性能正以每年约2倍的速度向前推进,现在是以256k位动态RAM(以下256kDRAM)为主流(图1)。由于历史的原因在多种多样的IC中,使用的工艺技术、集成密度、性能、产量等方面,通常是MOS动态RAM居首位,所以在评价IC制造技术水平方面它具有代表性。在这里,就256kDRAM的可靠性作一概述。

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