256kDRAM的可靠性 |
| |
引用本文: | 山田长生
,吉冈秀敏
,王秀春.256kDRAM的可靠性[J].微电子学,1985(Z1). |
| |
作者姓名: | 山田长生 吉冈秀敏 王秀春 |
| |
摘 要: | MOS动态RAM的集成密度、性能正以每年约2倍的速度向前推进,现在是以256k位动态RAM(以下256kDRAM)为主流(图1)。由于历史的原因在多种多样的IC中,使用的工艺技术、集成密度、性能、产量等方面,通常是MOS动态RAM居首位,所以在评价IC制造技术水平方面它具有代表性。在这里,就256kDRAM的可靠性作一概述。
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|