| 碳化硅晶须抗氧化性能的TEM研究 |
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| 引用本文： | 戴长虹,杨静漪. 碳化硅晶须抗氧化性能的TEM研究[J]. 电子显微学报, 2000, 19(4): 483-484 |
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| 作者姓名： | 戴长虹 杨静漪 |
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| 作者单位： | 青岛化工学院电子显微镜实验室,青岛,266042 |
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| 摘 要： | 碳化硅是最好的晶须材料之一,在用碳热还原法合成碳化硅纳米晶须时,原料中碳往往过量10wt.%左右。碳过量有利于碳化硅纳米晶须的形成和产率的提高,过量的碳一般采用在空气中高温氧化的方法除去。碳化硅纳米晶须抗氧化性能的好坏,直接影响到脱碳温度和时间的选择,以达到既除去样品中的碳又防止碳化硅纳米晶须大量氧化的目的。本文利用透射电子显微镜对碳化硅纳米晶须的抗氧化性能进行了初步研究。图1是未经空气中氧化的碳化硅纳米晶须的TEM照片,从图中可看出碳化硅纳米晶须的表面光滑,无SiO2包覆层。图2a是在500℃下恒温2h得到的碳化硅纳米…
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| 关 键 词： | 碳化硅 晶须 抗氧化性能 TEM |
TEM Study for the anti-oxidizable function of silicon carbide whiskers |
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| DAI Chang-hong,YANG Jing-yi. TEM Study for the anti-oxidizable function of silicon carbide whiskers[J]. Journal of Chinese Electron Microscopy Society, 2000, 19(4): 483-484 |
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| Authors: | DAI Chang-hong YANG Jing-yi |
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