| Tc-P共掺杂单层MoS2光电特性的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 范梦慧,谢泉,岑伟富,蔡勋明,骆最芬,郭笑天,闫万珺.Tc-P共掺杂单层MoS2光电特性的第一性原理计算[J].半导体光电,2015,36(4):582-587. |
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| 作者姓名： | 范梦慧 谢泉 岑伟富 蔡勋明 骆最芬 郭笑天 闫万珺 |
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| 作者单位： | 贵州大学电子信息学院,贵阳550025;贵州民族大学理学院,贵阳550025;贵州大学电子信息学院,贵阳,550025;贵州民族大学理学院,贵阳,550025 |
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| 基金项目： | 贵州省科技厅创新人才基金项目[黔科合J字(2011)4002];贵州省科学技术基金项目[黔科合J字LKM(2013)15] |
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| 摘 要： | 采用第一性原理的赝势平面波方法,对比研究了未掺杂和掺杂过渡金属Tc、非金属P及Tc-P共掺杂的单层MoS2的电子结构和光学性质.计算结果表明:掺杂改变了费米面附近的电子结构,使得导带向低能方向偏移,并且带隙由K点转化为Γ点,形成Γ点的直接带隙半导体.掺杂P使带隙值变小,形成p型半导体;掺杂Tc使带隙变宽,形成n型半导体;Tc-P共掺杂,由于p型和n型半导体相互调制,使得单层MoS2转变为性能更优的本征半导体;掺杂使光跃迁强度减小,且向低能方向偏移.
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| 关 键 词： | 电子结构 光学性质 第一性原理 掺杂 MoS2 |
| 收稿时间： | 2014/5/12 0:00:00 |
First-principles Calculation of Optical-Electrical Properties of Single-layer MoS2 with Tc-P Doping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electronic structures optical properties first-principles doping MoS2 |
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