| 同质缓冲层厚度对磁控溅射法制备玻璃基AZO薄膜的结构与光电性能影响 |
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| 引用本文： | 王鹏,赵青南,周祥,赵修建.同质缓冲层厚度对磁控溅射法制备玻璃基AZO薄膜的结构与光电性能影响[J].稀有金属材料与工程,2007,36(Z3):589-593. |
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| 作者姓名： | 王鹏 赵青南 周祥 赵修建 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学,硅酸盐材料工程教育部重点实验室,湖北,武汉,430070 |
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| 摘 要： | 室温下在玻璃基片上用射频磁控溅射法制备了不同厚度的ZnOAl(AZO)缓冲层,并在该同质缓冲层上溅射生长了AZO薄膜.用XRD测试了薄膜结构,用四探针法测量了薄膜方块电阻,用紫外-可见光谱仪测试了薄膜透过率,用双光束红外分光光度计测试了薄膜在中红外范围内的红外反射率.并比较并分析了引入同质缓冲层前后薄膜结构与性能的变化.结果表明,与没有缓冲层的样品相比较,适当厚度的同质缓冲层能降低AZO薄膜中的残余应力,使薄膜晶粒尺寸变大,降低AZO薄膜的方块电阻,使薄膜的紫外截止边发生蓝移,增加薄膜的红外反射率,并不明显影响薄膜的可见光透过率.
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| 关 键 词： | 同质缓冲层 ZnO:Al薄膜 射频磁控溅射法 方块电阻 玻璃基片 |
| 文章编号： | 1002-185X(2007)S3-589-05 |
| 修稿时间： | 2006年12月15 |
Influence of Homo-Buffer Layer Thickness on the Structure and Optical and Electric Properties of AZO Thin Films Prepared on Glass Substrates by Magnetron Sputtering |
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| Wang Peng,Zhao Qingnan,Zhou Xiang,Zhao Xiujian.Influence of Homo-Buffer Layer Thickness on the Structure and Optical and Electric Properties of AZO Thin Films Prepared on Glass Substrates by Magnetron Sputtering[J].Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(Z3):589-593. |
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| Authors: | Wang Peng Zhao Qingnan Zhou Xiang Zhao Xiujian |
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