| 真空退火对碳纳米管电子特性的影响 |
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| 引用本文： | 黄钦文, 吴军, 陈大鹏, 陈永胜, 叶甜春,.真空退火对碳纳米管电子特性的影响[J].电子器件,2008,31(2):428-431. |
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| 作者姓名： | 黄钦文 吴军 陈大鹏 陈永胜 叶甜春 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
2. 南开大学功能高分子材料教育部重点实验室,天津,300071 |
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| 摘 要： | 以Al/Fe为催化剂,使用热CVD法在硅片表面垂直生长碳纳米管.研究了不同温度下,未经高温真空退火的碳纳米管吸附和解吸乙醇蒸汽时,碳纳米管电学特性的变化规律.把碳纳米管在真空下(＜1 Pa)进行高温(150℃)退火,对经过退火的碳纳米管在不同温度下,吸附和解吸乙醇蒸汽后电学特性的变化规律进行研究.实验结果表明,未经高温真空退火的碳纳米管电学特性表现出p型半导体特性,经过高温真空退火后,碳纳米管的电学特性变为n型半导体特性.
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| 关 键 词： | 碳纳米管 吸附 气体传感器 CVD 真空退火 碳纳米管 电子特性 影响 Carbon Nanotubes Electronic Properties Vacuum Anneal 半导体 表现 结果 实验 变化规律 电学特性 蒸汽 乙醇 吸附和解吸 高温 温度 研究 |
| 文章编号： | 1005-9490(2008)02-0428-04 |
| 修稿时间： | 2007年3月10日 |
Effect of Anneal under Vacuum on Electronic Properties of Carbon Nanotubes |
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| HUANG Qin-wen,WU Jun,CHEN Da-peng,CHEN Yong-sheng,YE Tian-chun.Effect of Anneal under Vacuum on Electronic Properties of Carbon Nanotubes[J].Journal of Electron Devices,2008,31(2):428-431. |
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| Authors: | HUANG Qin-wen WU Jun CHEN Da-peng CHEN Yong-sheng YE Tian-chun |
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| Affiliation: | HUANG Qin-wen1,WU Jun2,CHEN Da-peng1,CHEN Yong-sheng2,YE Tian-chun11.Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China,2.Key Laboratory of Functional Polymer Materials of Ministry of Education,Nankai University,Tianjin 300071 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | carbon nanaotubes adsorption gas sensor CVD |
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