| In离子掩模注入GaAs(001)衬底的均匀有序纳米团簇的形成和扩散 |
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| 引用本文： | 周慧英,曲胜春,刘俊朋,王占国.In离子掩模注入GaAs(001)衬底的均匀有序纳米团簇的形成和扩散[J].半导体学报,2007,28(Z1):208-210. |
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| 作者姓名： | 周慧英 曲胜春 刘俊朋 王占国 |
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| 作者单位： | 周慧英（中国科学院半导体研究所,材料科学重点实验室,北京,100083）;曲胜春（中国科学院半导体研究所,材料科学重点实验室,北京,100083）;刘俊朋（中国科学院半导体研究所,材料科学重点实验室,北京,100083）;王占国（中国科学院半导体研究所,材料科学重点实验室,北京,100083） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:60390071,60390074,90301007,60276014,90201033,60306010,60476002,60576062)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311905)资助项目 |
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| 摘 要： | 离子注入技术是一种重要的制备低维量子结构的方法,它能通过精确控制注入能量、剂量以及注入温度等形成有序纳米团簇.我们利用有序的阳极氧化铝模板作为掩模板在GaAs(001)衬底上进行In离子选择性注入以及快速热退火,获得了均匀有序的纳米团簇,采用原子力显微镜研究了量子点随温度变化的形貌变化特征,观察到注入吸附原子在衬底的扩散随温度变化而加快,退火温度达到680℃时,沿110]方向的扩散要比110]方向扩散快,而且呈现各向异性.
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| 关 键 词： | 离子注入 铟离子 各向异性 扩散 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0208-03 |
| 修稿时间： | 2006年12月13 |
Formation and Diffusion of Ordered Quantum Clusters on (001)GaAs Substrate Induced by Masked Ion Implantation |
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