| Si(111) 衬底上3C-SiC的超低压低温外延生长 |
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| 引用本文： | 严飞,郑有炓,陈平,孙澜,顾书林,朱顺明,李雪飞,韩平.Si(111) 衬底上3C-SiC的超低压低温外延生长[J].高技术通讯,2002,12(11):65-66,11. |
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| 作者姓名： | 严飞 郑有炓 陈平 孙澜 顾书林 朱顺明 李雪飞 韩平 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,南京,210093 |
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| 基金项目： | 973规划(G20000683)和国家自然科学基金(60136020)资助项目. |
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| 摘 要： | 研究了发展一种Si衬底上低温外延生长3C－SiC的方法。采用LPCVD生长系统，以SiH4和C2H4为气源，在超低压（30Pa) ,低温（900℃）的条件下，在Si(111衬底上外延生长出高质量的3C－SiC薄膜材料。采用俄歇能谱（AES），X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）等分析手段研究了SiC薄膜的外延层组分，晶体结构及其表面形貌。AES结果表明薄膜中的Si/C的原子比例符合SiC的理想化学计量比，XRD结果显示了3C－SiC外延薄膜的良好晶体结构，AFM揭示了3C－SiC薄膜的良好的表面形貌。
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| 关 键 词： | Si（111）衬底 3C－SiC 超低压低温外延生长 碳化硅 异质外延生长 低压化学气相淀积 半导体材料 |
3C-SiC Heteroepitaxial Growth by Low Pressure Chemical Vapor Deposition on Si(111) Substrates |
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| Yan Fei,Zheng Youdou,Chen Ping,Sun Lan,Gu Shulin,Zhu Shunming,Li Xuefei,Han Ping.3C-SiC Heteroepitaxial Growth by Low Pressure Chemical Vapor Deposition on Si(111) Substrates[J].High Technology Letters,2002,12(11):65-66,11. |
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| Authors: | Yan Fei Zheng Youdou Chen Ping Sun Lan Gu Shulin Zhu Shunming Li Xuefei Han Ping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Silicon carbide (SiC) Heteroepitaxial growth Low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) |
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