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| TE光电阴极制作技术的研究 | |
| 引用本文： | 李相民,侯洵.TE光电阴极制作技术的研究[J].半导体技术,1995(4):26-28. |
| 作者姓名： | 李相民 侯洵 |
| 作者单位： | 中国科学院西安光学精密机械研究所，西安半导体光电器件研究室 |
| 摘 要： | 对ＴＥ光电阴极制作工艺中存在的肖特基结热退化现象以及为了实现ＴＥ阴极器件化，设计了超高真空激活系统和制作工艺流程，并采用ＰＥＣＶＤ－Ｓｉ３Ｎ４绝缘膜和多次蒸银方法彻底消除了热退化现象，从而实现在真空系统内场助电极的原位连接和阴极的激活，为实现ＴＥ光电阴极器件的分离打下基础。 |
| 关 键 词： | 肖特基结 PECVD TE光电阴极 制作 四氮化三硅 |
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