| 基于SRAM和DRAM结构的大容量FIFO的设计与实现 |
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| 引用本文： | 杨奇,杨莹. 基于SRAM和DRAM结构的大容量FIFO的设计与实现[J]. 国外电子元器件, 2006, 0(10): 63-66 |
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| 作者姓名： | 杨奇 杨莹 |
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| 作者单位： | 华中科技大学,湖北,武汉,430074 |
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| 摘 要： | 分别基于Hynix公司的SRAM HY64UD16322A和DRAM HY57V281620E,介绍了采用两种不同的RAM结构,通过CPLD来设计并实现大容量FIFO的方法.
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| 关 键 词： | SRAM DRAM CPLD 大容量FIFO |
| 文章编号： | 1006-6977（2006）10-0063-04 |
| 收稿时间： | 2006-02-28 |
| 修稿时间： | 2006-02-28 |
A new method of designing and implementing high-capacity FIFO based on SRAM and DRAM |
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| YANG Qi,YANG Ying. A new method of designing and implementing high-capacity FIFO based on SRAM and DRAM[J]. International Electronic Elements, 2006, 0(10): 63-66 |
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| Authors: | YANG Qi YANG Ying |
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| Affiliation: | Huazhong University of Science and Technology , Wuhan 430074, China |
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| Abstract: | A new method of designing and implementing high-capacity FIFO(First In First Out) memory by CPLD based on SRAM(HY64UD16322A) and DRAM(HY57V281620E)is introduced. |
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| Keywords: | SRAM DRAM CPLD high-capacity FIFO |
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