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| 超低噪声毫米波PHEMT | |
| 引用本文： | R.E.Lee,李江.超低噪声毫米波PHEMT[J].微纳电子技术,1991(4). |
| 作者姓名： | R.E.Lee 李江 |
| 摘 要： | 以AlGaAs/InGaAs/GaAs为基础的十分之一微米栅长PHEMT器件在43GHz下提供了最优良的低噪声性能。测量的室温器件噪声系数为1.32dB(噪声温度=103K),相关增益6.7dB,在17K物理温度下,噪声系数为0.36dB(噪声温度=25K),相关增益为6.9dB,这是目前报道的43GHz下GaAs基器件的最低噪声系数。 |
Ultra-Low-Noise Millimeter-Wave Pseudomorphic HEMTs |
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