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| 磁控溅射AZO工艺中沉积温度的研究 | |
| 引用本文： | 邵世强,李晓东.磁控溅射AZO工艺中沉积温度的研究[J].玻璃,2015(11):32-35. |
| 作者姓名： | 邵世强 李晓东 |
| 作者单位： | 信义光伏产业(安徽)控股有限公司 芜湖市241009 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)中课题 |
| 摘 要： | 在采用磁控溅射制备AZO薄膜的过程中,AZO薄膜的光电性能取决于镀膜过程中的各种工艺参数,包括:溅射气压、沉积温度、溅射功率、靶基距等。本文主要研究在固定其它工艺参数不变的情况下,通过改变玻璃基板沉积温度在200℃、250℃、300℃、350℃、400℃、450℃、500℃的情况下分别制备AZO薄膜,通过分析研究玻璃基板沉积温度变化对制备AZO薄膜光电性能及结构的影响,筛选出制备高质量AZO膜的最佳沉积温度。 |
| 关 键 词： | AZO薄膜 磁控溅射 沉积温度 ITO |
Study on Deposit Temperature of AZO With Magnetic Control Sputtering Process |
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