| 反偏籽晶晶向生长Φ2″HB-GaAs单晶 |
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| 引用本文： | 王继荣,武壮文,于洪国,张海涛.反偏籽晶晶向生长Φ2″HB-GaAs单晶[J].稀有金属,2004,28(3):458-461. |
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| 作者姓名： | 王继荣 武壮文 于洪国 张海涛 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院,北京,100088;国瑞电子材料有限责任公司,河北,廊坊,065001 |
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| 摘 要： | HB-GaAs ( 10 0 )片要偏离生长截面 5 4.7°～ 60°切割 (〈10 0〉和〈111〉之间的夹角是 5 4.7°)。如果籽晶方向与〈10 0〉之间的夹角少于 5 4.7°,称为反偏籽晶。而采用大于 5 4.7°角生长的单晶切割比较困难 ,尤其是厚度小于 3 0 0 μm的晶片。为了减少切割难度 ,可生长反偏籽晶的单晶 ,但要保证单晶能割出Φ2″( 10 0 )圆片 ,必须增加单晶锭的截面积。由于GaAs的热导率小 ,大截面单晶生长要困难得多。通过改变固液截面附近的加热元件结构 ,在特定方向加强了散热 ,延伸了温度梯度的线性范围 ,使用反偏籽晶 ,成功地生长了Φ2″HB GaAs单晶。和正偏籽晶单晶相比 ,这些单晶锭的切割破损率减少了 2 4% ,每 10 0mm长度出片数增加了 3 0 %。
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| 关 键 词： | 反偏籽晶 热导率 HB-GaAs单晶生长 |
| 文章编号： | 0258-7076(2004)03-0458-04 |
| 修稿时间： | 2003年9月23日 |
Growth of Φ2″ HB-GaAs Single Crystal with Inversely Deviating Seed |
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| Wang Jirong,Wu Zhuangwen,Yu Hongguo,Zhang Haitao.Growth of Φ2″ HB-GaAs Single Crystal with Inversely Deviating Seed[J].Chinese Journal of Rare Metals,2004,28(3):458-461. |
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| Authors: | Wang Jirong Wu Zhuangwen Yu Hongguo Zhang Haitao |
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| Affiliation: | Wang Jirong~*,Wu Zhuangwen,Yu Hongguo,Zhang Haitao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | inversely deviating seed thermal conductivity growth of HB-GaAs single crystal |
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