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砷化镓微波单片集成电路可靠性预计模型研究
引用本文:王蕴辉,莫郁薇,吴海东,张增照,古文刚,聂国健. 砷化镓微波单片集成电路可靠性预计模型研究[J]. 电子产品可靠性与环境试验, 2007, 25(2): 43-48
作者姓名:王蕴辉  莫郁薇  吴海东  张增照  古文刚  聂国健
作者单位:信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610
摘    要:在对微波单片集成电路(MMIC)的失效模式和失效机理进行分析的基础上,提出了砷化镓微波单片集成电路(GaAsMMIC)的可靠性预计数学模型,并通过加速寿命试验确定了产品的基本失效率和预计模型温度系数πT0在大量统计工艺数据和文献数据的基础上,获得了可靠性预计模型中的其它系数。

关 键 词:微波单片集成电路  可靠性预计  寿命试验
文章编号:1672-5468(2007)02-0043-06
修稿时间:2007-02-07

The Research on Reliability Prediction Model for MMIC
WANG Yun-hui,MO Yu-wei,WU Hai-dong,ZHANG Zeng-zhao,GU Wen-gang,NIE Guo-jian. The Research on Reliability Prediction Model for MMIC[J]. Electronic Product Reliability and Environmental Testing, 2007, 25(2): 43-48
Authors:WANG Yun-hui  MO Yu-wei  WU Hai-dong  ZHANG Zeng-zhao  GU Wen-gang  NIE Guo-jian
Abstract:
Keywords:MMIC  reliability prediction  life testing
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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