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| MBE法生长硅薄膜 | |
| 作者姓名： | 赵谢群 |
| 摘 要： | 以乙硅烷(Si_2H_6)为气体源,在Si(001)基底上均质外延生长了不掺杂硅薄膜。基底温度为533～1000℃,在此温区内均可获得单晶外延层。文章探讨了外延层生长速率、结晶度和杂质在晶体生长过程中的再分配问题。700℃制成的试样为 n |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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