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| 硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究 | |
| 引用本文： | 陈祥君,杨宇,龚大卫,陆昉,王建宝,樊永良,盛篪,孙恒慧.硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究[J].半导体学报,1995,16(11):826-830. |
| 作者姓名： | 陈祥君 杨宇 龚大卫 陆昉 王建宝 樊永良 盛篪 孙恒慧 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室，复旦大学李政道物理综合实验室 |
| 摘 要： | 利用硅分子束外延技术和Ｂ２Ｏ３掺杂源，成功地实现了硅中的硼δ掺杂，硼δ掺杂面密度ＮＢ可达３．４e１４ｃｍ－２（１／２单层）以上，透射电镜所示宽度为１．５ｎｍ．我们首次用原位俄歇电子能谱（ＡＥＳ）对硼在Ｓｉ（１００）表面上的δ掺杂行为进行了初步的研究，发现在ＮＢ＜３．４e１４ｃｍ－２时，硼δ掺杂面密度与时间成正比，衬底温度６５０℃，掺杂源温度９０００℃时，粘附速率为４．４e１３ｃｍ－２／ｍｉｎ；在ＮＢ＞３．４e１４ｃｍ－２时，粘附有饱和趋势，测量表明在硼δ掺杂面密度ＮＢ高达４．４e１４ｃ |
| 关 键 词： | 硅 分子束外延 硼 掺杂 外延生长 |
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