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Nb2O5掺杂对TiO2陶瓷性能的影响
引用本文:周文斌,唐超群,薛霞,胡连峰,马新国,黄金球. Nb2O5掺杂对TiO2陶瓷性能的影响[J]. 材料科学与工程学报, 2006, 24(2): 255-257
作者姓名:周文斌  唐超群  薛霞  胡连峰  马新国  黄金球
作者单位:华中科技大学物理系,湖北,武汉,430074;华中科技大学物理系,湖北,武汉,430074;华中科技大学物理系,湖北,武汉,430074;华中科技大学物理系,湖北,武汉,430074;华中科技大学物理系,湖北,武汉,430074;华中科技大学物理系,湖北,武汉,430074
摘    要:在Nb2O5含量x为0.1~1.5%的范围内,研究了Nb2O5掺杂对TiO2压敏陶瓷电性能的影响.发现x=0.7%的样品显示出最低的压敏电压(Eb=8.57V/mm )以及最高的相对介电常数2.385×104.分析认为Nb2O5掺杂的实质是Nb5 固溶于 TiO2中取代Ti4 使晶粒半导化,但掺杂量受晶格畸变作用有一定限制.

关 键 词:TiO2  Nb2O5掺杂  压敏
文章编号:1673-2812(2006)02-0255-03
修稿时间:2005-07-15

Effect of Nb2O5 Doping on TiO2 Ceramic Varistors
ZHOU Wen-bin,TANG Chao-qun,XUE Xia,HU Lian-feng,MA Xin-guo,HUANG Jin-qiu. Effect of Nb2O5 Doping on TiO2 Ceramic Varistors[J]. Journal of Materials Science and Engineering, 2006, 24(2): 255-257
Authors:ZHOU Wen-bin  TANG Chao-qun  XUE Xia  HU Lian-feng  MA Xin-guo  HUANG Jin-qiu
Abstract:
Keywords:TiO_2  doping of Nb_2O_5  varistors
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