| 量子阱材料折射率低偏振相关性研究 |
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| 引用本文： | 罗世豪,缪庆元.量子阱材料折射率低偏振相关性研究[J].半导体光电,2021,42(2):225-230. |
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| 作者姓名： | 罗世豪 缪庆元 |
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| 作者单位： | 武汉大学电子信息学院,武汉430072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(60877039).＊通信作者:缪庆元E-mail:miaoqy@whu.edu.cn |
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| 摘 要： | 分析了阱宽、垒高和应变对量子阱材料TE模和TM模折射率的影响,并剖析了其中的物理机理.研究表明:对于量子限制效应带来的量子阱折射率偏振相关性,阱宽越小或垒高越高,折射率偏振相关性越大.压应变增大时,折射率偏振相关性增大,张应变可以克服量子限制效应带来的折射率偏振影响.对于不同阱宽和垒高的量子阱,均存在合适的张应变量使折射率偏振相关性最小,且阱宽越小或垒高越高所需的张应变量越大.根据以上分析,提出量子阱材料折射率低偏振相关设计方法,并据此设计出C波段(1 530～1 565 nm)内折射率低偏振相关(小于0.03)的量子阱材料In0.49Ga0.51As/In0.77Ga0.23As0.5P0.5.研究结果有助于优化设计光网络中关键器件.
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| 关 键 词： | 量子阱 折射率偏振相关 阱宽 垒高 应变 |
| 收稿时间： | 2021/1/3 0:00:00 |
Study on Polarization Dependence of Refractive Index of Quantum Well |
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| LUO Shihao,MIAO Qingyuan.Study on Polarization Dependence of Refractive Index of Quantum Well[J].Semiconductor Optoelectronics,2021,42(2):225-230. |
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| Authors: | LUO Shihao MIAO Qingyuan |
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| Affiliation: | School of Electronic Information, Wuhan University, Wuhan 430072, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | quantum well polarization dependence of refractive index well width barrier height strain |
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