| S波段低插损FBAR陷波器的研制 |
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| 引用本文： | 蒋平英,蒋世义,何西良,陈金琳,彭霄,徐阳,刘娅. S波段低插损FBAR陷波器的研制[J]. 压电与声光, 2021, 43(2): 157-160 |
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| 作者姓名： | 蒋平英 蒋世义 何西良 陈金琳 彭霄 徐阳 刘娅 |
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| 作者单位： | （中国电子科技集团公司第二十六研究所，重庆 400060） |
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| 摘 要： | 该文介绍了一种单端口、端口阻抗50Ω的S波段薄膜体声波谐振器(FBAR)陷波器,其采用了梯形拓扑结构与外围匹配电路相结合的方式.对FBAR陷波器芯片的设计过程、工艺实现进行了说明.测试制备的FBAR陷波器,其陷波频段为2399～2412 MHz,陷波抑制达35 dBc;通带频率分别为1800～2300 MHz和2500...
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| 关 键 词： | 薄膜体声波谐振器(FBAR) 陷波器 芯片 梯形结构 低插损 |
Development of S Band FBAR Notch Filter with Low Insertion Loss |
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| JIANG Pingying,JIANG Shiyi,HE Xiliang,CHEN Jinlin,PENG Xiao,XU Yang,LIU Ya. Development of S Band FBAR Notch Filter with Low Insertion Loss[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2021, 43(2): 157-160 |
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| Authors: | JIANG Pingying JIANG Shiyi HE Xiliang CHEN Jinlin PENG Xiao XU Yang LIU Ya |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | film bulk acoustic resonator(FBAR) notch filter chip ladder type structure low insertion loss |
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