氧化钨纳米线修饰多孔硅结构的制备及NO2气敏性能研究

针对多孔硅气敏传感器在室温下对NO2气体灵敏度较低、选择性不强的问题，采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅，然后在多孔硅顶部溅射沉积金属钨薄膜并经高温热处理氧化形成WO3纳米线，制备出WO3纳米线修饰多孔硅结构及其气敏传感器，对WO3纳米线/多孔硅材料进行了SEM和XRD分析，测试了传感器室温下对NO2的气敏特性。结果表明，制备WO3纳米线的最佳热处理条件是700℃，此温度下增加金属钨膜溅射时间可提升WO3纳米线的生长密度? 所制备的传感器对NO2气体表现出反型气敏响应，特别是溅射1min金属钨的样品显示出优异的NO2室温探测能力与选择性，对4×10-6NO的气敏灵敏度是单纯多孔硅样品的 5.8倍。