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高动态位移ScAlN基超声换能器的设计及制作
引用本文:彭火祥,苗斌,徐瞻,刁莉娜,程晋荣,李加东,赵祥永,张巧珍. 高动态位移ScAlN基超声换能器的设计及制作[J]. 压电与声光, 2021, 43(2): 183-186
作者姓名:彭火祥  苗斌  徐瞻  刁莉娜  程晋荣  李加东  赵祥永  张巧珍
作者单位:(1.上海大学 材料科学与工程学院,上海 200444;;2.中国科学院 苏州纳米技术与纳米仿生研究所多功能材料与轻巧系统重点实验室,江苏 苏州 215123;;3.中国科学技术大学 纳米科学技术学院,江苏 苏州 215123;4.上海师范大学 数理学院,上海 200234)
摘    要:超声探测作为重要的感知技术,其探测性能一直是学术界研究的热点。针对薄膜超声换能器谐振位移低,导致输出声压较低,从而影响探测性能的问题,该文提出了一种高动态位移的薄膜ScAlN基超声换能器结构,该结构直径为360 μm,中心处膜层由4根悬梁支柱固支,通过微机电系统(MEMS)微纳加工技术制作了换能器阵列。测试结果表明,该器件谐振频率下,中心处动态位移可达2.16 μm/V。此外,该结构使膜层振动模态转变为输出声压更高的活塞型模态,相关工作为空气介质中长距离超声测距传感器的研究奠定了基础。

关 键 词:ScAlN薄膜;动态位移;新型pMUT结构

Design and Fabrication of ScAlN Based Ultrasonic Transducer with High Dynamic Displacement
PENG Huoxiang,MIAO Bin,XU Zhan,DIAO Lin,CHENG Jinrong,LI Jiadong,ZHAO Xiangyong,ZHANG Qiaozhen. Design and Fabrication of ScAlN Based Ultrasonic Transducer with High Dynamic Displacement[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2021, 43(2): 183-186
Authors:PENG Huoxiang  MIAO Bin  XU Zhan  DIAO Lin  CHENG Jinrong  LI Jiadong  ZHAO Xiangyong  ZHANG Qiaozhen
Abstract:
Keywords:ScAlN film   dynamic displacement   novel pMUT structure
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