| 微加工工艺应力的喇曼在线测量 |
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| 引用本文： | 桑胜波,薛晨阳,张文栋,熊继军,阮勇,张大成,郝一龙.微加工工艺应力的喇曼在线测量[J].半导体学报,2006,27(6):1141-1146. |
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| 作者姓名： | 桑胜波 薛晨阳 张文栋 熊继军 阮勇 张大成 郝一龙 |
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| 作者单位： | 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室，太原 030051;中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室，太原 030051;中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室，太原 030051;中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室，太原 030051;北京大学微电子研究院，北京 100871;北京大学微电子研究院，北京 100871;北京大学微电子研究院，北京 100871 |
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| 基金项目： | 国家科技攻关项目
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国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 针对微加工工艺过程造成的残余应力,文中提出了喇曼在线测量方法,并对最常用的三种微加工工艺:淀积、腐蚀或刻蚀及键合进行了喇曼在线测量.测量结果与理论分析相符,淀积工艺中,氮化硅对硅片造成的残余应力比氧化硅造成的大,且氧化硅在硅衬底上形成的残余应力是压应力,氮化硅形成的是张应力;刻蚀工艺和键合工艺对硅片造成了相对较大的应力分布,且都为张应力,最大值超过300MPa.
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| 关 键 词： | 微加工工艺 残余应力 喇曼 在线测量 微加工工艺 工艺应力 喇曼 在线测量 Micromachining Stress Online Measurement 最大值 应力分布 键合工艺 刻蚀工艺 张应力 压应力 硅衬底 氧化硅 应力比 硅片 氮化硅 淀积工艺 分析 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)06-1141-06 |
| 收稿时间： | 09 27 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 11 16 2005 12:00AM |
Raman Online Measurement of Stress Resulting from Micromachining |
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| Sang Shengbo,Xue Chenyang,Zhang Wendong,Xiong Jijun,Ruan Yong,Zhang Dacheng and Hao Yilong.Raman Online Measurement of Stress Resulting from Micromachining[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(6):1141-1146. |
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| Authors: | Sang Shengbo Xue Chenyang Zhang Wendong Xiong Jijun Ruan Yong Zhang Dacheng and Hao Yilong |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Instrumentation Science & Dynamic Measurement of the Ministry of Education,North University of China,Taiyuan 030051,China;Key Laboratory of Instrumentation Science & Dynamic Measurement of the Ministry of Education,North University of China,Taiyuan 030051,China;Key Laboratory of Instrumentation Science & Dynamic Measurement of the Ministry of Education,North University of China,Taiyuan 030051,China;Key Laboratory of Instrumentation Science & Dynamic Measurement of the Ministry of Education,North University of China,Taiyuan 030051,China;Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China |
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| Abstract: | Micromachining can result in residual stress in a wafer.This paper puts forward an online measuring method for measuring the stress in silicon samples prepared with three common micromachining processes:deposition,etching,and bonding.The experimental results support the theory.In deposition processes,the residual stress resulting from Si3N4,which is tensile stress,is larger than SiO2,which is compressive stress.The tensile stress resulting from etching and bonding processes is relatively larger with a maximum value over 300MPa. |
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| Keywords: | micromachining residual stress Raman online-measurement |
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