| 调制掺杂对AlGaN/GaN HEMT材料电学性能的影响 |
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| 引用本文： | 许敏,袁凤坡,陈国鹰,李冬梅,尹甲运,冯志宏. 调制掺杂对AlGaN/GaN HEMT材料电学性能的影响[J]. 半导体技术, 2007, 32(3): 230-233 |
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| 作者姓名： | 许敏 袁凤坡 陈国鹰 李冬梅 尹甲运 冯志宏 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,宽禁带重点实验室,石家庄050051;河北工业大学信息工程学院,天津300130;中国电子科技集团公司第十三研究所,宽禁带重点实验室,石家庄050051;河北工业大学信息工程学院,天津300130 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 河北省自然科学基金 , 河北省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 利用范德堡Hall方法和汞探针C-V方法,研究了不同Si调制掺杂浓度对AlGaN/GaN HEMT材料电学性质的影响.发现si掺杂可以改善材料电学性能,二维电子气(2DEG)面密度和方块电阻(ns×μ)可以通过si调制掺杂精确控制.当Si掺杂浓度为3×10(18)cm-3时,得到了最低的方块电阻360Ω/□.尽管受到高浓度电子和离化杂质对二维电子气的散射影响,迁移率仍可达1220cm2/(V·s).分析了范德堡Hall方法和汞探针C-V方法的差别,同时测得材料的阈值电压也在合理范围.
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| 关 键 词： | 调制掺杂 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 迁移率 |
| 文章编号： | 1003-353X（2007）03-230-04 |
| 修稿时间： | 2006-10-11 |
Effect of Modulation-Doping on the Electrical Properties of AlGaN/GaN HEMT Materials |
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| XU Min,YUAN Feng-po,CHEN Guo-ying,LI Dong-mei,YIN Jia-yun,FENG Zhi-hong. Effect of Modulation-Doping on the Electrical Properties of AlGaN/GaN HEMT Materials[J]. Semiconductor Technology, 2007, 32(3): 230-233 |
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| Authors: | XU Min YUAN Feng-po CHEN Guo-ying LI Dong-mei YIN Jia-yun FENG Zhi-hong |
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| Affiliation: | 1. National Wide Bandgap Key Lab, The 13^th Research Institute, CETC, Shijiazhuang 050051, China; 2. School of lnformation Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | modulation-doping AlGaN/GaN HEMT mobility |
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