| Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态 |
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| 引用本文： | 郑安生,钱嘉裕,韩庆斌,邓志杰. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态[J]. 稀有金属, 2000, 24(5): 376-382 |
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| 作者姓名： | 郑安生 钱嘉裕 韩庆斌 邓志杰 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院,北京,100088 |
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| 摘 要： | 介绍了Ⅲ Ⅴ族化合物单晶生长工艺包括LEC、VCZ、VGF/VB、HB的发展现状 ;欲生长大直径、高质量单晶 ,仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究。目前 ,全世界Ⅲ Ⅴ族半导体单晶产量约 80t,产值约 5亿美元。
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| 关 键 词： | Ⅲ-Ⅴ族半导体 单晶生长 位错 |
| 修稿时间： | 2000-03-03 |
State of Art Ⅲ-Ⅴs Semiconductor Crystal Materials |
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| Zheng Ansheng,Qian Jiayu,Han Qingbin,Deng Zhijie. State of Art Ⅲ-Ⅴs Semiconductor Crystal Materials[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 2000, 24(5): 376-382 |
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| Authors: | Zheng Ansheng Qian Jiayu Han Qingbin Deng Zhijie |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | s semicenductor Crystal growth Dislocation |
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