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| 双束质子辐照降低快速晶闸管通枋压降的研究 | |
| 引用本文： | 何维,朱佳政.双束质子辐照降低快速晶闸管通枋压降的研究[J].半导体技术,1999,24(6):12-14. |
| 作者姓名： | 何维 朱佳政 |
| 作者单位： | [1]四川大学物理系 [2]中国原子能科学研究院核物理研究所 |
| 摘 要： | 在分析晶闸管通枋压降产生的机理的基础上，从协调开关时间与通态压降关系入手提出了采用双束质子辐照晶闸管。．对ＫＫ２００Ａ半成品晶闸管进行能量３．５ＭｅＶ和５．０ＭｅＶ注量为２．５×１０＾１１ｐ／ｃｍ＾２的单束质子辐照晶闸管所得的晶闸管的电学参数与先用５．０ＭｅＶ后用３．５ＭｅＶ能量注量都为２．５×１０＾１１ｐ／ｃｍ＾２的双束质子辐照的晶闸管所得的电学参数进行了对比，发现双束质子辐照不仅能有效地缩短晶 |
| 关 键 词： | 晶闸管 双束质子辐照 通枋压降 开关时间 |
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