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GaAs对称定向耦合光开关的研究
引用本文:冯浩,李锡华,王明华,吴志武.GaAs对称定向耦合光开关的研究[J].半导体学报,1993,14(5):286-291.
作者姓名:冯浩  李锡华  王明华  吴志武
作者单位:浙江大学信息与电子工程系,浙江大学信息与电子工程系,浙江大学信息与电子工程系,浙江大学信息与电子工程系 杭州 310008,杭州 310008,杭州 310008,杭州 310008
摘    要:本文报道了GaAs对称定向耦合光开关的研制,分析了器件的工作原理和影响串音度的因素。首次实现了电极自对准工艺,减小了电极的套刻误差。在λ=1.15μm下测试器件开关特性,得到了小于—26dB的串音度和13~v的开关电压。用小信号测量法测得器件带宽大于1GHz。这种开关将在GaAs开关列阵中得到应用。

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