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| Q开关半导体激光器 | |
| 作者姓名： | D·Z·Tsang 尹向泽 |
| 作者单位： | 马萨诸塞理工学院林肯实验室 |
| 摘 要： | GaInAsP-InP系统中已制出了带集成内腔电吸收损耗调制器的半导体激光器。该激光器由普通的锌扩散放大器部份、反偏压的注铍(Be)的p-n结电吸收调制器部份以及无源波导部份组成。这些器件是第一批带有源Q开关足够内脏损耗的半导体激光器。早期的测量受1GHz的测试仪器限制。最近的测量用微波合成器、分频器、检测器和取样示波器来实现,表明Q开关激光器具有3 |
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