|
|||||
|
|
| 具有位线屏蔽结构的70ns 256k DRAM | |
| 作者姓名： | KOICHIRO MASHIKO 李庆文 |
| 摘 要： | 设计芯片面积最小,存取时间最快、工作范围最宽的DRAM正受到人们极大的注意。本文介绍使用位线屏蔽的70ns 256k×1位DRAM的研制情况。芯片尺寸为3.6×8.4mm~2(=30.2mm~2),用16引线300mil双列直插式塑料管壳封装。 选用了阵列的开位线结构(图1),以便提高速度、减少芯片面积和改善信号电 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
|
||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |