| 320×256元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面探测器 |
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| 引用本文： | 许佳佳,陈建新,周易,徐庆庆,王芳芳,徐志成,白治中,靳川,陈洪雷,丁瑞军,何 力.320×256元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面探测器[J].红外与毫米波学报,2014,33(6):598-601. |
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| 作者姓名： | 许佳佳 陈建新 周易 徐庆庆 王芳芳 徐志成 白治中 靳川 陈洪雷 丁瑞军 何 力 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083
2. 中国科学院中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院研究生院,北京100049 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61176082) |
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| 摘 要： | 报道了320×256元In As/Ga SbⅡ类超晶格长波红外焦平面阵列探测器的研制和性能测试.采用分子束外延技术在Ga Sb衬底上生长超晶格材料,器件采用PBIN结构,红外吸收区结构为14 ML(In As)/7 ML(Ga Sb),焦平面阵列光敏元尺寸为27μm×27μm,中心距为30μm,通过刻蚀形成台面、侧边钝化和金属接触电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了320×256面阵长波焦平面探测器.在77 K温度下测试,焦平面器件的100%截止波长为10.5μm,峰值探测率为8.41×109cm Hz1/2W-1,盲元率为2.6%,不均匀性为6.2%,采用该超晶格焦平面器件得到了较为清晰的演示性室温目标红外热成像.
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| 关 键 词： | 长波红外探测器 In As/Ga SbⅡ类超晶格 焦平面阵列 |
| 收稿时间： | 2014/3/25 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2014/4/14 0:00:00 |
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