固体电解质的电子束照射损伤 |
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引用本文: | 李香庭,郭祝昆.固体电解质的电子束照射损伤[J].电子显微学报,1984(4). |
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作者姓名: | 李香庭 郭祝昆 |
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作者单位: | 中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院上海硅酸盐研究所 |
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摘 要: | EPMA、SEM、TEM和AES在研究固体电解质材料的显微结构和组成时,常由于这些仪器的入射电子束照射而引起试样损伤。这不但使形貌观察出现假象,而且使电子束照射区的组成也发生变化,有时使晶格遭到破坏。研究这种损伤过程对实验结果的解释及选择减小损伤的实验条件均具有一定意义。我们还通过电子束损伤过程研究了快离子导体的电化学损坏机理。固体电解质是一类高离子电导率的固体材料,可用作固体离子器件的离子传输隔膜,是近十几年来较活跃的一个研究领域。我们用JCXA—733电子探针研究了β—Al_2O_3、β″—Al_2O_3、Nasicon、Ag~-导体、Ⅰ型和Ⅱ型玻璃的电子束损伤特征。
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