| 非晶氧化铝超薄膜中的电荷输运特性 |
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| 引用本文： | 朱炎,赵登涛,狄国庆,方亮.非晶氧化铝超薄膜中的电荷输运特性[J].功能材料,2001,32(3):296-297,300. |
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| 作者姓名： | 朱炎 赵登涛 狄国庆 方亮 |
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| 作者单位： | 苏州大学,物理系, |
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| 摘 要： | 研究了反应射频磁控溅射制备的非晶氧化铝薄膜中电荷输运过程，发现交流和直流电导导电机制是明显不同的。对直流输运，以Poole-Frenkel发射发射模式为主，而新样品的直流电导则常常是带陷阱的空间电荷限制电流模式。交流电导则是由所谓的声子辅助的定域载流子的跳跃引起的。电导的温度特性表明，交流电导有两种不同的导电机制，即低温区的浅陷阱发和 高温区的因氧缺陷导致的深陷阱的发射过程，直流电导与交流电导在高温区趋于一致。
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| 关 键 词： | 非晶氧化铝薄膜 Schottky发射 Poole－Frenkel发射 激活能 电荷输运 |
| 文章编号： | 1001-9731(2001)03-0296-02 |
Charge transport in amorphous alumina ultra-thin films |
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| ZHU Yan,ZHAO Deng-tao,DI Guo-qing,FANG Liang.Charge transport in amorphous alumina ultra-thin films[J].Journal of Functional Materials,2001,32(3):296-297,300. |
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| Authors: | ZHU Yan ZHAO Deng-tao DI Guo-qing FANG Liang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Schottky emission Poole-Frenkel emission space-charge-limited current active energy |
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