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| CCD电离辐射效应损伤机理分析 | |
| 引用本文： | 王祖军,唐本奇,肖志刚,刘敏波,黄绍艳,张勇,陈伟,刘以农.CCD电离辐射效应损伤机理分析[J].核电子学与探测技术,2009,29(3). |
| 作者姓名： | 王祖军 唐本奇 肖志刚 刘敏波 黄绍艳 张勇 陈伟 刘以农 |
| 作者单位： | 1. 清华大学工程物理系,粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,北京,100084;西北核技术研究所,西安市69信箱10分箱,陕西西安,710024 2. 西北核技术研究所,西安市69信箱10分箱,陕西西安,710024 3. 清华大学工程物理系,粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,北京,100084 |
| 摘 要： | 研究了CCD电离辐射引起总剂量效应和瞬态电离效应的损伤机理.分析了总剂量效应导致OCD平带电压和阈值电压漂移、表面暗电流密度增大以及饱和输出电压下降的规律和机理.研究了单粒子瞬态电离辐射导致OCD单粒子瞬态电荷产生的机理,研究了瞬态脉冲电离辐射导致OCD信号电荷损失的机理. |
| 关 键 词： | OCD电离辐射 平带电压 表面暗电流 饱和输出电压 单粒子瞬态电荷 |
The Analysis of Mechanism on Ionization Radiation Damage Effects on CCD |
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| WANG Zu-jun,TANG Beng-qi,XIAO Zhi-gang,LIU Min-bo,HUANG Shao-yan,ZHANG Yong,CHEN Wei,LIU Yi-nong.The Analysis of Mechanism on Ionization Radiation Damage Effects on CCD[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2009,29(3). | |
| Authors: | WANG Zu-jun TANG Beng-qi XIAO Zhi-gang LIU Min-bo HUANG Shao-yan ZHANG Yong CHEN Wei LIU Yi-nong |
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