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808nm高功率量子阱远结激光器及其电噪声特性
引用本文:胡贵军,石家纬,张素梅,齐丽云,李红岩,张锋刚.808nm高功率量子阱远结激光器及其电噪声特性[J].功能材料与器件学报,2000,6(3):279-281.
作者姓名:胡贵军  石家纬  张素梅  齐丽云  李红岩  张锋刚
作者单位:吉林大学电子工程系,长春130023
基金项目:吉林省科委基金!(19990526-1)
摘    要:介绍了808nm高功率最子阱远结半导体激光器的结构和器件特性,测试了器件的低步电噪声,讨论了噪声与频率、注入电流及器件质量的关系。结果表明,808nm高功率量子阱远结半导体激光的阈值电流在老化初期随时间的延续而降低,其噪声在低频段主要为1/f噪声,且以阈值附近有量大值,器件噪声与器件质量有一定的相关性。

关 键 词:半导体激光器  高功率  远结  量子阱  电噪声
修稿时间::

808nm high- power quantum well remote junction semiconductor laser and its electrical noise character
HU Gui-jun,SHI Jia-wei,ZHANG Shu-mei,QI Li-yun,LI Hong-yan,ZHANG Feng-gang.808nm high- power quantum well remote junction semiconductor laser and its electrical noise character[J].Journal of Functional Materials and Devices,2000,6(3):279-281.
Authors:HU Gui-jun  SHI Jia-wei  ZHANG Shu-mei  QI Li-yun  LI Hong-yan  ZHANG Feng-gang
Abstract:
Keywords:
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