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ZnO非线性电阻的设计与探索:从第一原理看最近的进展
引用本文:汤霖,迟旭,陈文龙,崔毓昕,赵冬一. ZnO非线性电阻的设计与探索:从第一原理看最近的进展[J]. 电瓷避雷器, 2021, 0(4): 122-139. DOI: 10.16188/j.isa.1003-8337.2021.04.020
作者姓名:汤霖  迟旭  陈文龙  崔毓昕  赵冬一
作者单位:中国电力科学研究院有限公司武汉分公司,武汉430074;厦门ABB避雷器有限公司,厦门361000
摘    要:与理论计算相结合的材料设计是现代材料科学发展的一个重要方向.基于密度泛函理论的第一性原理,在ZnO非线性电阻的设计与研究领域的应用以及最新研究进展进行了梳理.共分5个方面:1)第一性原计算的背景;2)ZnO晶体及其表面的电子结构;3)ZnO晶体本征缺陷及掺杂的电子结构;4)双晶ZnO晶体界面的电子结构;5)Bi偏析ZnO晶体界面的电子结构,即双肖特基势垒(n-p-n).随着相关理论和计算方法的发展,以及计算机性能的不断提高,对ZnO非线性电阻的基本电子特性可以通过计算直接获得.我们期望越来越多的这种材料信息学方法成功地应用于材料的实际开发中.

关 键 词:ZnO非线性压敏电阻  第一原理  密度泛函理论  电子结构

Design and Exploration of ZnO NonlinearVaristors: Recent Progress from First Principle Prospective
TANG Lin,CHI Xu,CHEN Wenlong,CUI Yuxin,ZHAO Dongyi. Design and Exploration of ZnO NonlinearVaristors: Recent Progress from First Principle Prospective[J]. Insulators and Surge Arresters, 2021, 0(4): 122-139. DOI: 10.16188/j.isa.1003-8337.2021.04.020
Authors:TANG Lin  CHI Xu  CHEN Wenlong  CUI Yuxin  ZHAO Dongyi
Abstract:
Keywords:
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