| Bi掺杂对直流ZnO电阻片缺陷结构和电性能的影响 |
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| 引用本文： | 赵霞,时卫东,张搏宇,吕雪斌,沈海滨. Bi掺杂对直流ZnO电阻片缺陷结构和电性能的影响[J]. 电瓷避雷器, 2021, 0(4): 62-68. DOI: 10.16188/j.isa.1003-8337.2021.04.010 |
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| 作者姓名： | 赵霞 时卫东 张搏宇 吕雪斌 沈海滨 |
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| 作者单位： | 中国电力科学研究院有限公司,北京100192 |
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| 摘 要： | 普遍认为,Bi2O3是ZnO电阻片形成晶界势垒及非线性伏安特性的基础,然而Bi元素对构成势垒的缺陷结构的作用机制仍不清楚.基于一种优化的介电谱,笔者研究了Bi2O3含量对现代直流ZnO电阻片本征点缺陷锌填隙和氧空位、非本征缺陷晶间相结构和界面态的作用机制.实验结果表明,Bi掺杂使得晶界势垒结构发育完善,所以掺入Bi元素...
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| 关 键 词： | ZnO电阻 缺陷结构 松弛极化 活化能 |
Effect of Bi Dopant on Defect Structure and Electrical Performance of DC ZnO Varistors |
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| ZHAO Xia,SHI Weidong,ZHANG Boyu,LV Xuebin,SHEN Haibin. Effect of Bi Dopant on Defect Structure and Electrical Performance of DC ZnO Varistors[J]. Insulators and Surge Arresters, 2021, 0(4): 62-68. DOI: 10.16188/j.isa.1003-8337.2021.04.010 |
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| Authors: | ZHAO Xia SHI Weidong ZHANG Boyu LV Xuebin SHEN Haibin |
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