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| 浅面浮雕矩形台面垂直腔面发射半导体激光器 | |
| 作者姓名： | 李秀山 宁永强 贾鹏 陈泳屹 张星 张建伟 张建 刘云 秦莉 王立军 |
| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室;中国科学院大学; |
| 基金项目： | 国家自然科学青年基金(61106068);国家自然科学基金(61204056)和国家自然科学基金重点项目(61234004) |
| 摘 要： | 为实现垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)大功率窄线宽输出,设计了浅面浮雕矩形台面结构的垂直腔面发射激光器(SR VCSEL)。电流密度分布会影响模式的分布,模拟结果表明,矩形台面VCSEL相比于圆形台面VCSEL,在有源区面积增大的情况下,电流密度分布不变。在矩形台面VCSEL出光孔表面刻蚀浅面浮雕后,高阶模式比基模的阈值增益的变化大,基模对高阶模式的抑制增强。理论结果表明,矩形浅面浮雕结构的VCSEL能够实现对高阶模式的抑制,测试结果得到连续输出为5.87mW,光谱宽度为0.1nm,功率偏振度为10,横向模式抑制比超过30dB的窄线宽输出。 |
| 关 键 词： | 激光器 半导体激光器 矩形台面 浅面浮雕 |
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