| 基底温度对电子束沉积SiO_2薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 杜倩倩,王文军,李淑红,刘云龙,和晓晓,高学喜,张丙元,史强.基底温度对电子束沉积SiO_2薄膜的影响[J].中国激光,2014(10). |
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| 作者姓名： | 杜倩倩 王文军 李淑红 刘云龙 和晓晓 高学喜 张丙元 史强 |
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| 作者单位： | 聊城大学物理科学与信息工程学院;聊城大学山东省光通信科学与技术重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61275147);山东省科技攻关计划(2010GGX10127);山东省自然科学基金(ZR2012AL11,ZR2013EML006);山东省“泰山学者”建设工程专项经费;聊城大学重点科研基金 |
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| 摘 要： | 利用热力学统计理论及薄膜生长理论,给出了薄膜堆积密度、折射率与基底温度之间的关系。在实验中采用电子束热蒸发技术,在不同的沉积速率和基底温度下制备了单层二氧化硅薄膜。研究了沉积速率与薄膜表面均匀度及折射率的关系,并着重分析了基底温度对薄膜折射率、透射率、表面形貌及微观结构的影响。实验结果表明:基底温度升高,薄膜表面粗糙度减小,晶粒间隙缩小,折射率增加,透射率提高,吸收度降低。且当基底温度为500℃时,在可见光区域SiO2薄膜的透射率可达99.4%以上。对实验数据进行拟合,理论计算与实验结果符合得很好。
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| 关 键 词： | 薄膜 电子束蒸发 基底温度 堆积密度 |
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