| MOCVD生长1.06μm波段InGaAs/GaAs单量子阱材料的发光特性研究 |
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| 引用本文： | 刘洋,李林,乔忠良,苑汇帛,谷雷,戴银,李特,曲轶.MOCVD生长1.06μm波段InGaAs/GaAs单量子阱材料的发光特性研究[J].中国激光,2014(11). |
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| 作者姓名： | 刘洋 李林 乔忠良 苑汇帛 谷雷 戴银 李特 曲轶 |
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| 作者单位： | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60976038,61107054,61308051);国家自然科学基金委员会和中国工程物理研究院联合基金(U1330136);吉林省科技发展计划(20100419,20140101192);高功率半导体激光国家重点实验室基金(C1301) |
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| 摘 要： | 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析,讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度以及V/III比对外延片发光波长、发光强度及PL谱半峰全宽(FWHM)的影响。发现在相同生长条件下,对于InGaAs/GaAs应变量子阱结构,在GaAs(100)偏111A晶向较小偏向角的衬底上生长的样品PL谱发光强度较大,半峰全宽较窄;量子阱层低温生长的样品发光强度更强;增大量子阱层V/III比可以提高样品的发光强度,同时PL谱峰值波长出现红移。
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| 关 键 词： | 材料 金属有机化学气相沉积 InGaAs/GaAs量子阱 偏向角 发光强度 半峰全宽 |
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