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| 低温分子束外延GaAs薄膜的研究 | |
| 引用本文： | 邓航军,范缇文,王占国,梁基本,朱战萍,李瑞钢.低温分子束外延GaAs薄膜的研究[J].半导体学报,1994,15(5):317-321. |
| 作者姓名： | 邓航军 范缇文 王占国 梁基本 朱战萍 李瑞钢 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体材料科学开放实验室 |
| 摘 要： | 我们利用分子束外延方法生长了低温ＧａＡｓ薄膜，并应用Ｘ射线双晶衍射、ＴＥＭ等手段对其进行了初步研究．发现原生样品和树底之间存在晶格失配．随着退火温度的上升，晶格失配逐渐消失．ＴＥＭ观察到６００，７００，８５０℃退火后的样品中存在大量的砷沉淀物．沉淀物大致呈球形．砷沉淀物的直径随着退火温度的上升而线性地增大，而密度却随退火温度的上升指数地下降． |
| 关 键 词： | 低温 GaAs |
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