| 用于MEMS红外传感器的集成低噪声CMOS接口电路设计 |
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| 引用本文： | 姚镭,郝跃国,李铁,熊斌,王跃林. 用于MEMS红外传感器的集成低噪声CMOS接口电路设计[J]. 传感技术学报, 2007, 20(10): 2203-2206 |
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| 作者姓名： | 姚镭 郝跃国 李铁 熊斌 王跃林 |
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| 作者单位： | 传感技术联合国家重点实验室,微系统技术国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;传感技术联合国家重点实验室,微系统技术国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;传感技术联合国家重点实验室,微系统技术国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;传感技术联合国家重点实验室,微系统技术国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;传感技术联合国家重点实验室,微系统技术国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国防重点基础研究发展规划(973计划) |
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| 摘 要： | 实现了一种应用于采集MEMS红外传感器微弱信号的低噪声CMOS接口电路.该电路应用了斩波技术(CHS),对斩波技术中抑制低频噪声的效率分析表明其可以有效降低低频噪声.利用苏州和舰科技(HJTC)的商用0.18 μm CMOS工艺流程制作的试样芯片.测试结果证实了此电路的工作原理.整个斩波放大系统的增益为84.9 dB,带宽160 Hz,等效输入噪声87 nV/rtHz.
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| 关 键 词： | CMOS接口电路 单片集成MEMS 斩波技术 红外传感器 |
| 文章编号： | 1004-1699(2007)10-2203-04 |
| 修稿时间： | 2007-03-12 |
A Low-Noise CMOS Interface Circuit for Monolithic MEMS Infrared Sensor |
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| YAO Lei,HAO Yue-guo,LI Tie,XIONG Bin,WANG Yue-lin. A Low-Noise CMOS Interface Circuit for Monolithic MEMS Infrared Sensor[J]. Journal of Transduction Technology, 2007, 20(10): 2203-2206 |
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| Authors: | YAO Lei HAO Yue-guo LI Tie XIONG Bin WANG Yue-lin |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Transducer Technology, National Key Laboratory of Microsystem Technology,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China |
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| Abstract: | A low-noise CMOS interface circuit employing the chopper technique is designed to amplify the weak signal from the MEMS infrared sensor in this paper. Theoretical analysis indicates that the low frequency noise was efficiently reduced. After integrated in a commercial 0.18um CMOS process supplied by HJTC, the test results demonstrates the function of the circuit. with a 84.9dB gain, 160Hz bandwidth, and an equivalent input low frequency noise 87nV/rtHz. |
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| Keywords: | CMOS interface circuit monolithic MEMS chopper technique infrared sensor |
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