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电流法改善碳纳米管阴极场发射特性
引用本文:方建放,邹儒佳,薛绍林. 电流法改善碳纳米管阴极场发射特性[J]. 光电子技术, 2010, 30(2)
作者姓名:方建放  邹儒佳  薛绍林
作者单位:东华大学理学院,上海,201620;东华大学理学院,上海,201620;东华大学理学院,上海,201620
摘    要:针对丝网印刷碳纳米管阴极,提出电流法进行表面后处理,有效改善碳纳米管阴极场发射特性.利用扫描电子显微镜表征电流法处理前后CNTs阴极表面形貌变化,并对处理前后CNTs阴极进行场发射特性测试.结果表明,电流法处理后CNTs阴极表面残留有机物被破坏,开启电场从2.4 V/μm降低到1.6 V/μm,同样面积的薄膜(印制面积为1 cm×1 cm)在2.6 V/μm场强下的发射电流由30 μA提高到了800 μA,说明电流处理对于提高薄膜的场发射特性有明显作用.该方法在碳纳米管场发射显示器的制作中具有很好的实际应用价值.

关 键 词:丝网印刷  场发射  碳纳米管阴极  表面处理

Field Emission Property of CNT Cathodes Improved by Post-treatment of Current
Fang Jianfang,Zou Rujia,Xue Shaolin. Field Emission Property of CNT Cathodes Improved by Post-treatment of Current[J]. Optoelectronic Technology, 2010, 30(2)
Authors:Fang Jianfang  Zou Rujia  Xue Shaolin
Abstract:
Keywords:
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