| （英）利用分子束外延在GaAs基上生长高特征温度的InAs量子点激光器 |
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| 引用本文： | 袁野,苏向斌,杨成奥,张一,尚金铭,谢圣文,张宇,倪海桥,徐应强,牛智川. （英）利用分子束外延在GaAs基上生长高特征温度的InAs量子点激光器[J]. 红外与毫米波学报, 2020, 39(6): 667-670. DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2020.06.001 |
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| 作者姓名： | 袁野 苏向斌 杨成奥 张一 尚金铭 谢圣文 张宇 倪海桥 徐应强 牛智川 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京 100083;中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京 100049;中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京 100083;中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京 100049;北京量子信息科学研究院,北京 100193;山西大学物理与电子工程学院固体量子材料中心实验室,山西太原 030006 |
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| 摘 要： | 通过MBE外延系统生长了1.3 μm的GaAs基InAs量子点激光器.为了获得更好的器件性能，InAs量子点的最优生长温度被标定为520 ℃，并且在有源区中引入Be掺杂.制备了脊宽100 μm，腔长2 mm的激光器单管器件，在未镀膜的情况下，达到了峰值功率1.008 W的室温连续工作，阈值电流密度为110 A/cm-2，在80℃下仍然可以实现连续工作，在50 ℃以下范围内，特征温度达到405 K.
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| 关 键 词： | 量子点激光器 分子束外延 特征温度 中红外 |
| 收稿时间： | 2020-02-15 |
| 修稿时间： | 2020-11-11 |
Molecular beam epitaxial growth of InAs quantum dots on GaAs for high characteristics temperature lasers |
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| YUAN Ye,SU Xiang-Bin,YANG Cheng-ao,ZHANG Yi,SHANG Jin-Ming,XIE Sheng-Wen,ZHANG Yu,NI Hai-Qiao,XU Ying-Qiang and NIU Zhi-Chuan. Molecular beam epitaxial growth of InAs quantum dots on GaAs for high characteristics temperature lasers[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2020, 39(6): 667-670. DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2020.06.001 |
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| Authors: | YUAN Ye SU Xiang-Bin YANG Cheng-ao ZHANG Yi SHANG Jin-Ming XIE Sheng-Wen ZHANG Yu NI Hai-Qiao XU Ying-Qiang NIU Zhi-Chuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | quantum dot laser molecular beam epitaxy characteristics temperature mid-infrared |
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