InP/InGaAsP1.3μm弯曲波导吸收区超辐射发光二极管的计算机辅助分析 |
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引用本文: | 陈维友,刘式墉.InP/InGaAsP1.3μm弯曲波导吸收区超辐射发光二极管的计算机辅助分析[J].光电子技术,1993,13(4):55-58. |
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作者姓名: | 陈维友 刘式墉 |
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作者单位: | 吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区 长春 130023,长春 130023 |
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摘 要: | 本文用束传播法对具有弯曲波导吸收区的超辐射发光二极管进行了计算机辅助分析,研究了有源层厚度、波导宽度、吸收区长度、弯曲波导曲率半径对器件性能的影响。研究结果表明,对于该器件,存在最佳结构参数,使得吸收区对光激射的抑制作用最好。
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关 键 词: | 发光二极管 优化设计 CAD 波导区 |
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