| 硅基PZT薄膜的制备与刻蚀工艺研究 |
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| 引用本文： | 赵宏锦,刘建设,任天令,刘燕翔,刘理天,李志坚. 硅基PZT薄膜的制备与刻蚀工艺研究[J]. 压电与声光, 2001, 23(4): 290-292 |
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| 作者姓名： | 赵宏锦 刘建设 任天令 刘燕翔 刘理天 李志坚 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(69806007);国家"九七三”计划资助项目(G1999033105) |
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| 摘 要： | 采用溶胶－凝胶（Sol-Gel）法制备了PZT薄膜,在600℃的退火温度下即获得了晶化完善的钙然矿铁电相结构。采用典型的半导体光刻工艺,利用HCl/HF刻蚀溶液成功地获得刻蚀线条分辨率达微米量级的PZT薄膜微图形。较好的解决了有关PZT薄膜制备与加工中存在的关键问题,为硅基铁电薄膜器件的实现奠定了良好的工艺基础。
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| 关 键 词： | 锆钛酸铅 刻蚀工艺 PZT薄膜 硅基 |
| 文章编号： | 1004-2474(2001)04-0290-03 |
| 修稿时间： | 2001-01-08 |
Study of Fabrication and Etching Processes of PZT Thin Films on Silicon |
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| ZHAO Hong-jin,LIU Jian-she,REN Tian-ling,LIU Yan-xiang,LIU Li-tian,LI Zhi-jian. Study of Fabrication and Etching Processes of PZT Thin Films on Silicon[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2001, 23(4): 290-292 |
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| Authors: | ZHAO Hong-jin LIU Jian-she REN Tian-ling LIU Yan-xiang LIU Li-tian LI Zhi-jian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | lead-zirconate-titanate Sol-Gel etching |
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