| 铟掺杂PZT铁电陶瓷性能研究 |
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| 引用本文： | 朱斌,文忠,高扬,杨涛.铟掺杂PZT铁电陶瓷性能研究[J].功能材料,2013,44(5):614-617. |
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| 作者姓名： | 朱斌 文忠 高扬 杨涛 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(51310Z02) |
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| 摘 要： | 采用传统固相烧结法制备In2O3掺杂的锆钛酸铅(PZT)铁电陶瓷,研究了In2O3掺杂量对PZT铁电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响。研究结果表明,随着In2O3掺杂量的增加,PZT材料在准同型相界处三方相增加四方相减少,适量掺入In2O3有利于晶粒均匀生长。在不同的铟掺杂剂量下,PZT陶瓷材料分别具有最佳的铁电及压电性能。当铟掺杂量为0.1%(质量分数)时,PZT材料具有最佳的铁电性能,其剩余极化强度为23.43μC/cm2,矫顽场为9.783kV/cm。当铟掺杂量为0.3%(质量分数)时,PZT材料具有最好的压电性能,其tanδ=0.023,d33=540pC/N,εr=1513,Kp=0.764,Qm=1819。
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| 关 键 词： | PZT 陶瓷 In2O3掺杂 压电 铁电 |
Study of In-doping on the ferroelectric properties of PZT piezoelectric ceramics |
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| ZHU Bin,WEN Zhong,GAO Yang,YANG Tao.Study of In-doping on the ferroelectric properties of PZT piezoelectric ceramics[J].Journal of Functional Materials,2013,44(5):614-617. |
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| Authors: | ZHU Bin WEN Zhong GAO Yang YANG Tao |
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| Affiliation: | (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China) |
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