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镉离子印迹硅胶材料的制备、表征及其吸附性能研究
作者姓名:郭萌萌  章东升  范雪蕾  阎峰
作者单位:沈阳化工大学应用化学学院,辽宁沈阳,110142
基金项目:国家自然科学基金资助项目(21107076);辽宁省教育厅科学研究一般资助项目(L2012150)
摘    要:采用表面接枝印迹技术,以Cd2+作为模板离子,二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷为功能分子,硅胶为支撑物,环氧氯丙烷为交联剂,在硅胶表面制备了一种新型的Cd2+离子印迹硅胶材料,并利用平衡吸附法研究了印迹材料的吸附性能和选择识别能力。结果表明,最大吸附量为30.8mg/g,20min即可达到吸附平衡;当pH值在4~8范围内,印迹材料保持了较好的吸附容量;印迹材料对Cd2+离子具有较强的选择性识别能力,重复使用性能稳定。

关 键 词:  二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷  离子印迹
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