| 2-甲基-8-羟基喹啉镓配合物的合成及发光性能研究 |
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| 引用本文： | 孙春燕,刘旭光,陶鹏,陈柳青.2-甲基-8-羟基喹啉镓配合物的合成及发光性能研究[J].功能材料,2013,44(4):540-543. |
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| 作者姓名： | 孙春燕 刘旭光 陶鹏 陈柳青 |
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| 作者单位： | 1. 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,山西太原030024;太原理工大学化学化工学院,山西太原030024
2. 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,山西太原030024;太原理工大学材料科学与工程学院,山西太原030024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(21176169,21071108,60976018,21101111);长江学者与创新团队发展计划资助项目(IRT0972);国家国际合作专项资助项目(2012DFR50460);国家教育部博士点基金资助项目(20101402110007);山西省自然科学基金资助项目(2010021023-2,2011021022-2);山西省科技攻关资助项目(20120321019) |
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| 摘 要： | 合成了2-甲基-8-羟基喹啉镓配合物(Ga(mhq)3),通过红外光谱、氢核磁谱确认其结构,进一步通过紫外-可见吸收光谱、循环伏安曲线、荧光发射光谱和电致发光光谱表征了其光学带隙及发光性质。实验结果表明Ga(mhq)3紫外吸收峰在259和365nm处,由紫外吸收得到光学带隙为3.10eV。在四氢呋喃溶液中,416nm激发下,荧光发射峰在496nm,为蓝绿色荧光;在360nm波长的激发下,Ga(mhq)3粉末发射峰在472nm处,属蓝绿光发射。将其做成器件A:ITO/NPB(50nm)/Ga(mhq)3(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),得到最大亮度为901.5cd/m2,最大发射波长为508nm。加入电子传输层Alq3对器件A进行优化后,最大亮度达到4339cd/m2。
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| 关 键 词： | 8-羟基喹啉 光电特性 光学带隙 |
Synthesis and photoluminescent characteristics of 8-hydroxy-2-methylquinoline gallium |
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| SUN Chun-yan,LIU Xu-guang,TAO Peng,CHEN Liu-qing.Synthesis and photoluminescent characteristics of 8-hydroxy-2-methylquinoline gallium[J].Journal of Functional Materials,2013,44(4):540-543. |
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| Authors: | SUN Chun-yan LIU Xu-guang TAO Peng CHEN Liu-qing |
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| Affiliation: | 1,3(1.Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials of Taiyuan University of Technology,Ministry of Education,Taiyuan 030024,China; 2.The College of Chemistry and Chemical Engineering,Taiyuan University of Technology,Taiyuan 030024,China; 3.The College of Materials Science and Engineering,Taiyuan University of Technology,Taiyuan 030024,China) |
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| Abstract: | |
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