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| si和Ge的固相外延生长 | |
| 引用本文： | 彭雨田.si和Ge的固相外延生长[J].功能材料,1979(1). |
| 作者姓名： | 彭雨田 |
| 作者单位： | 一机部仪表材料研究所 |
| 摘 要： | 一、前言在现代科学技术中,很多领域都需要应用薄膜材料,尤其是在半导体方面,显得更为突出。随着半导体器件的飞速发展,对制备单晶薄膜材料的要求愈来愈高。过去制备单晶薄膜材料常用气相外延和液相外延两种方法。这两种方法虽然能够适应一般的要求,但对某些要求很薄、很大、纯度极高和结构复杂的单晶薄膜场合,往往不能满足要求。因此,研究新工艺,制备满足上述要求的单晶薄膜材料,是一项十分紧迫的任务。也由于科学技术和仪器设备的进步,为研究新工艺、制备新材料提供了条件。于是近年来,与分子束外延生长研究的同时,又提出一种新颖的外延生长技术——固相外延生 |
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