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| MCZ硅单晶 | |
| 引用本文： | 寿永华.MCZ硅单晶[J].中国有色冶金,1986(6). |
| 作者姓名： | 寿永华 |
| 摘 要： | MCZ硅单晶即磁场直拉硅单晶,于1980年由日本索尼公司首先拉制成功,至今已五年多,在这段时间里,无论对磁场直拉工艺的研究,还是对该材料在应用领域的研究都取得了很大进展。当器件集成度进入兆位时代后,为提高器件性能和合格率,对硅单晶的质量要求就更加严格,由于MCZ硅的优越性非常突出, |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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