| MOCVD侧向外延生长GaN的研究 |
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| 引用本文： | 朱丽虹,李晓莹,刘宝林.MOCVD侧向外延生长GaN的研究[J].微细加工技术,2008(6). |
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| 作者姓名： | 朱丽虹 李晓莹 刘宝林 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系,福建,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，福建省科技项目 |
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| 摘 要： | 在低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统中利用侧向外延生长(epitaxial lateral overgrowth,ELO)技术进行了二次外延GaN的研究.SEM观察结果表明,翼区和窗口区宽度比值不同的图形衬底,侧向和纵向的生长速率不同;其AFM表面形貌图像表明,长平的ELO-GaN表面平整,位错密度较低.ELO-GaN的光致发光(PL)谱的带边峰比传统方法生长的GaN的带边峰红移了14.0 meV,表明ELO-GaN的应力得到部分释放,晶体质量提高.ELO-GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO-GaN中的应力较小,晶体质量较高,A1(TO)模的出现说明其晶轴取向相对于(0001)方向发生微小的偏移.
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| 关 键 词： | 低压金属有机化学气相沉积 氮化镓 侧向外延生长 原子力显微镜 扫描电子显微镜 拉曼散射谱 |
Study of Epitaxial Lateral Overgrowth GaN by MOCVD |
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| ZHU Li-hong,LI Xiao-ying,LIU Bao-lin.Study of Epitaxial Lateral Overgrowth GaN by MOCVD[J].Microfabrication Technology,2008(6). |
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| Authors: | ZHU Li-hong LI Xiao-ying LIU Bao-lin |
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| Affiliation: | ZHU Li-hong,LI Xiao-ying,LIU Bao-lin(Dept.of Phys.,Xiamen University,Xiamen 361005,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LP-MOCVD GaN epitaxial lateral overgrowth AFM SEM Raman scattering |
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