| 调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中AlxGa1-xN势垒层表面态及其他局域态性质研究 |
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| 引用本文： | 刘杰 沈波 周玉刚 周慧梅 郑泽伟 张荣 施毅. 调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中AlxGa1-xN势垒层表面态及其他局域态性质研究[J]. 半导体学报, 2003, 24(8): 822-826 |
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| 作者姓名： | 刘杰 沈波 周玉刚 周慧梅 郑泽伟 张荣 施毅 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系，南京210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);G20000683; |
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| 摘 要： | 通过测量调制掺杂Al0.22Ga0.78N／GaN异质结样品的变频电容-电压(C-V)特性，对Al0.22Ga0.78N势垒层表面态的性质进行了研究．结果发现在小偏压下，样品的电容随着测量信号频率的增加而下降，说明势垒层中存在表面态．实验数据分析表明：表面态密度约为10^13cm^-2量级，表面态的时间常数比势垒层中其他局域态大．随着空间隔离层厚度的增加，势垒层中其他局域态密度随之增加．在金属电极和Al0.22Ga0.78N势垒层之间加入Si3N4绝缘层可以对表面态起到显的钝化作用，使表面态密度降为～10^12cm^-2量级．
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| 关 键 词： | Ⅲ族氮化物 调制掺杂异质结构 势垒层 表面态 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)08-0822-05 |
| 修稿时间： | 2002-09-27 |
Surface States and Other Local States in AlxGa1-xN Barriers of Modulation-Doped AlxGa1-xN/GaN Heterosturctures |
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| Liu Jie,Shen Bo,Zhou Yugang,Zhou Huimin,Zheng Zewei,Zhang Rong,Shi Yi and Zheng Youdou. Surface States and Other Local States in AlxGa1-xN Barriers of Modulation-Doped AlxGa1-xN/GaN Heterosturctures[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 24(8): 822-826 |
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| Authors: | Liu Jie Shen Bo Zhou Yugang Zhou Huimin Zheng Zewei Zhang Rong Shi Yi Zheng Youdou |
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